大摩最新预警全球内存商场严峻改变行将到来：HBM(高带宽内存)的"溢价神话"正面对应战，而传统存储产品面对周期性修正机会。

8月14日，据追风买卖台音讯，摩根士丹利在最新研报中称，跟着HBM商场竞赛加重和定价压力闪现，传统DRAM和NAND产品有望在2026年迎来更可继续的增加。

该行指出，HBM定价环境正快速改变，2026年将呈现严峻比例搬运和竞赛加重，但短期内危险看似已得到操控，云服务本钱开支数据向好以及关税缓解预期，为HBM收益回归正常和可继续水平发明条件。

在微观环境改进的布景下，特别是美国CPI数据温文推高降息预期，商场资金 正从AI驱动的内存股转向对经济灵敏的传统内存板块。大摩估计，假如美联储降息、经济增加预期改进，偏好传统产品内存而非HBM，特别看好传统DRAM。

HBM竞赛加重："溢价神话"面对应战

定价压力闪现。大摩途径调研闪现，SK海力士与英伟达的HBM3E 12hi合约定价商洽中，价格区间仍在每立方440美元左右(1.69美元/Gb)，但商洽仍在进行中没有终究确认。

更值得重视的是HBM4的定价动态。大摩途径调研闪现，HBM4定价已敲定在590-600美元区间(2.3-2.34美元/Gb)，但大摩以为这不太或许是全年许诺合同。大摩着重：

关键在于，假如三星经过HBM4资历认证，定价将面对进一步扣头压力，季度商洽形式或许成为常态。

商场比例从头洗牌。淫乱夜操 干死我了大摩以为，最重要的商场改变是比例从头分配，估计SK海力士在英伟达商场的比例将从2025年的85-90%下降至2026年的50%以上，首要源于三星和美光日益剧烈的竞赛。

大摩指出，三星的追逐脚步超出预期。据供应链调研，三星已向首要客户发送HBM4前期样品，估计8月底前向英伟达提交终究产品。其1c制程工艺爬坡顺畅，良率显着改进，为打破SK海力士独占发明了条件。

传统存储："周期归来"逻辑渐显

DRAM（动态随机存储）商场短期面对定价压力。在传统DRAM商场，摩根士丹利观察到第三季度合约定价涨幅有所收窄。DDR5主流产品方面，服务器客户承受了2-3%的季度环比涨幅，而部分PC客户为树立库存乐意承受更高定价。

中期远景向好。大摩称，第四季度合约定价涨幅估计将进一步放缓，大多数消费电子客户的DDR5价格或许坚相等稳，而AI需求将支撑服务器客户价格完成低至中个位数涨幅。DDR4方面，虽然供货商库存相对精简，但跟着客户晋级标准并已树立部分库存，涨幅将较第三季度大幅下降。

大摩还注意到，一些客户对生产商第三季度DDR5合约5-10%的提价要求表明抵抗，近期买卖多在中低个位数水平。这表明传统DRAM商场的定价才能正在削弱，但周期性底部或许正在构成。

NAND（闪存）商场呈现显着分解特征。在NAN淫乱夜操 干死我了D商场，大摩表明，3季度合约定价以环比上涨3-5%敲定，低于此前商场预期的5-10%涨幅。PC客户面对5-10%提价，智能手机UFS/eMMC（嵌入式存储技能）根本相等，eSSD（企业级固态硬盘）需求环比上升3-5%。

4季度将呈现AI与非AI需求分解。大摩指出，TrendForce估计归纳ASP环比下降0-5%，首要受PC和智能手机消费需求疲软连累。但企业级SSD微弱需求有望连续至2026年上半年，跟着AI基础设施在推理应用上的扩展和AI本钱开销坚持微弱，eSSD定价估计4季度上涨0-5%。

摩根士丹利估计，企业级SSD（固态硬盘）定价在2025年第四季度将上涨0-5%。QLC NAND（闪存的一种类型）代替HDD（机械硬盘）的进程或许在2026年下半年加快，Meta正引领选用更多企业级SSD的发展。跟着HDD交货周期延伸至约一年，许多服务器客户正寻求近线QLC企业级SSD解决方案。

摩根士丹利在陈述中表明，根据定价远景考虑，更偏好产品内存而非HBM产品，特别是传统DRAM。

值得注意的是，大摩着重微观要素对内存股的重要影响。美国CPI数据向好推高美联储降息预期，假如经济增加预期转好、利率的确下降，那么反向买卖逻辑开端闪现，商场或许轮动至被严峻轻视的传统产品内存股。