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当前学科：集成电路制造工艺员（三级）
题目：
单选
单晶硅刻蚀一般采用（）做掩蔽层，以氟化氢为主要的刻蚀剂，氧气为侧壁钝化作用的媒介物。
A . 氮化硅
B . 二氧化硅
C . 光刻胶
D . 多晶硅
答案：
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