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当前学科:集成电路制造工艺员(三级)
题目:
单选
在IC芯片生长中浅沟槽隔离技术STI逐渐取代了局部氧化LOCOS所制成的()而成为相邻电子元件的绝缘体
A . 栅氧化层
B . 沟槽
C . 势垒
D . 场氧化层
答案:
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