当前学科:集成电路制造工艺员(三级)
  • 题目: 单选
    在热扩散工艺中的预淀积步骤中,砷和锑的扩散温度为()。

      A . 1050~1200℃
      B . 900~1050℃
      C . 1100~1250℃
      D . 1200~1350℃

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