什么是离子注入时的沟道效应？列举出三种控制沟道效应的方法？_集成电路工艺原理_全学科试题题库

当前学科：集成电路工艺原理

题目：问答题
什么是离子注入时的沟道效应？列举出三种控制沟道效应的方法？
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迷宫密封是由很多（）与轴套，很多交替（）和（）组成的狭窄而回折的流道，漏气每经过一个（），压力就会（），流动方向不断改变，在扩容器中产生（）现象，速度不断减弱，压力最后降至（）。

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病毒性心肌炎患者在发病前1～3周常有（）。

最低工资标准由（　）规定。

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