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当前学科：集成电路制造工艺员（三级）
题目：
单选
当热氧化的最初阶段，（）为限制反应速率的主要原因。
A . 温度
B . 硅-二氧化硅界面处的化学反应
C . 氧的扩散速率
D . 压力
答案：
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