在刻蚀二氧化硅过程中假如我们在CF4的（）内加入适量的氢气，能够降低刻蚀的速率。_集成电路制造工艺员（三级）_全学科试题题库

当前学科：集成电路制造工艺员（三级）

题目：单选
在刻蚀二氧化硅过程中假如我们在CF₄的（）内加入适量的氢气，能够降低刻蚀的速率。
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