离子注入中高能量意味着注入硅片更深处，低能量则用于超浅结注入。_集成电路工艺原理_全学科试题题库

当前学科：集成电路工艺原理

题目：判断题
离子注入中高能量意味着注入硅片更深处，低能量则用于超浅结注入。
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